EN25S16
EN25S16
16兆位1.8V串行闪存与4K字节扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 1.65-1.95伏
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串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
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16 M位串行闪存
- 16 M位/ 2048 K字节/ 8192页
- 每个可编程页的256字节
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标准，双核或四SPI
标准的SPI接口： CLK ， CS ＃ ， DI ， DO ， WP ＃
双SPI ： CLK ， CS ＃ ， DQ
0
， DQ
1
， WP ＃
四路SPI ： CLK ， CS ＃ ， DQ
0
， DQ
1
， DQ
2
， DQ
3
高性能
104MHz的时钟速率为一个数据位
80MHz的时钟速率为2个数据位
80MHz的时钟速率为4个数据位
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统一的部门架构：
4 KB的512个扇区
32 KB的64块
64字节的32块
任何扇区或块可以单独被删除
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间： 0.7ms典型
扇区擦除时间： 40ms的典型
32KB的块擦除时间150毫秒典型
64KB的块擦除时间300ms的典型
芯片擦除时间： 9秒典型
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突发模式
- 连续线性爆
- 8/16/32/64/128/256与wrap-线性爆
周围
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低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 典型值1μA关断电流
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暂停写和写简历
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可锁定512字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 8引脚SOP 150mil体宽
- 8引脚VSOP 200mil体宽
- 8接触VDFN
- 所有无铅封装符合RoHS标准
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工业温度范围
概述
该EN25S16是16兆位（ 2048K字节）串行闪存，具有先进的写保护
机制。该EN25S16支持标准的串行外设接口（SPI） ，和一个高
高性能双路输出，以及双通道，四通道I / O使用SPI接口：串行时钟，片选，串行
DQ
0
（DI）和DQ
1
（ DO ） ， DQ
2
（ WP ＃ ）和DQ
3
（ NC ） 。支持高达80MHz的SPI时钟频率
允许在使用了160MHz的双输出和320MHz的为四路输出相当于时钟速率
双/四路输出快速阅读说明。该存储器可以被编程为1〜 256个字节在一个
时间，使用页面编程指令。
该EN25S16还提供了一个先进的方法，用于保护各个块对或错
恶意程序和擦除操作。通过提供单独保护的能力，并解除保护
块，一个系统可以解除对某个特定块来修改其内容，同时保持其余的
存储器阵列的块进行安全保护。这是在应用程序代码是有用
修补或更新的子程序或模块的基础或应用，数据存储段
需要在不运行的错误的修改的风险，程序代码段进行修改。
该EN25S16被设计成允许或者单
扇区/块
在同一时间或整片擦除操作。该
EN25S16可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置
能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期
或阻止
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师H，发行日期： 2011/12/16
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
