EN25S40
EN25S40
4兆位1.8V串行闪存与4K字节扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 1.65-1.95伏
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串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
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4 M位串行闪存
- 4 M位/ 512 K-字节/ 2048页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 75MHz的时钟速率
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低功耗
- 7毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
128扇区4K字节
64字节的8块
任何扇区或块可以单独被删除
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软件和硬件写保护：
- 块保护位的默认设置为“ 1”
上电
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 90ms的典型
块擦除时间为500ms典型
芯片擦除时间：4秒典型
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可锁定256字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8接触USON的2x3毫米
8接触VDFN 5×6毫米
所有无铅封装符合RoHS标准
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工业温度范围
概述
该EN25S40是4兆位（ 512K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25S40被设计成允许或者单
扇区/块
在同一时间或整片擦除操作。该
EN25S40可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置
能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期
或阻止
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师H，发行日期： 2011/11/07
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
