EN29F002A / EN29F002AN
EN29F002A / EN29F002AN
2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
•
5.0V ±为10％的读/写操作
•
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
•
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
•
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
•
引导块顶部/底部编程
架构
•
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
•
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
•
五金
RESET
针
（上EN29F002AN N / A ）
•
单扇区和芯片擦除
•
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
•
部门撤消模式
•
嵌入式擦除和编程算法
•
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
•
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
•
VCC低于写入禁止< 3.2V
•
100K耐力周期
•
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
•
商用和工业温度
范围
•
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
•
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
•
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002A / EN29F002AN是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002A /
EN29F002AN提供5.0V电压读出和写入操作。存取时间快为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F002A / EN29F002AN有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2003年3月26日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
