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EN29F010-45SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29F010-45SCP
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内容描述: 1兆位( 128K ×8位), 5V闪存 [1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 428 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29F010
EN29F010
1兆位( 128K ×8位), 5V闪存
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS , 55ns , 70ns的,并且为90ns
-
-
-
-
部门架构:
16K字节每8个部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护:
部门,以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
扇区擦除时间: 300ms的典型
芯片擦除时间: 3秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP (类型1 )
- 32引脚采用8mm x 14毫米TSOP (类型1 )
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 12mA(典型)读操作工作电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F010是1兆位,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成128K字节,每字节8位,存储器的1M被布置在八个均匀
16K字节每扇区。任何字节通常可以在为7μs进行编程。该EN29F010特点
5.0V电压的读写操作,具有存取时间快为45nS ,以消除对
等待在高性能微处理器系统状态。
该EN29F010有独立的输出使能(
OE
) ,芯片使能(
CE
) ,以及写使能(
宽E
)
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日