EN29F010
表3.操作模式
1M FLASH USER MODE表
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
脉冲
L
L
OE
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
VID
A9
A8
X
A8
X
L / H
X
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
H
A6
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
H
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
L
A0
AX /年
X
AX /年
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ ( 0-7 )
高阻
制造
ID
器件ID
CODE
X
CODE
X
DIN (0-7)
注意事项:
1 ) L = V
IL
,H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ) X =无关,无论是V
IH
或V
IL
3 ) AX / Y:组Ax =地址(X ) ,AY =地址( Y)
表4.辨识的装置
1M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
X
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
(2)
DQ(7-0)
(十六进制)
制造商ID
1C
器件ID
20
注意事项:
1 )如果制造ID读取与A8 = L时,芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ) X =无关
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
5
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日