EN29GL064
EN29GL064
64兆位（ 8192K ×8位/ 4096K ×16位）闪存
页模式闪存， CMOS 3.0伏只
特点
•
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 〜3.6伏读
写操作
•
高性能
- 存取时间快70纳秒
•
V
IO
输入/输出1.65 〜3.6伏特
- 所有的输入电平（地址，控制和DQ输入
电平）和输出由电压确定
在V
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
•
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
•
16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
•
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久，
通过一个8字安全识别/ 16
字节随机电子序列号
- 可以编程并锁定在出厂
或由客户
•
灵活的部门架构：
- 部门统一型号：
一百28均匀
32Kword / 64K字节扇区
- 引导扇区型号：
八顶部或底部的8 KB的引导扇区
和127 32Kword /
64K字节扇区。
•
暂停和恢复的命令
编程和擦除操作
•
写操作状态位指示程序
和擦除操作完成
•
支持CFI （通用闪存接口）
•
高级行业持续的方法
保护
•
WP ＃ / ACC输入
- 加速编程时间（当V
HH
is
应用篇）系统，在更大的吞吐量
生产
- 保护第一个或最后一个扇区不管
部门保护设置
•
硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位
设备
•
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）检测
编程或擦除周期完成
•
最低100K的程序/擦除次数
周期。
•
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64球11毫米X 13毫米BGA
•
工业级温度范围。
概述
该EN29GL064提供25 ns的快速页面访问时间与相应的随机存取时间
快70纳秒。它具有一个写缓冲器，允许编程最多16个字/ 32字节
在一次操作中，从而加快有效的编程时间比标准的编程算法。
这使得该器件非常适用于当今的嵌入式应用需要更高的密度，更好的
性能和更低的功耗。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师男，发表日期： 2011/04/13
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
