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EN29GL128H-70BAIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29GL128H-70BAIP
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内容描述: 128兆位( 16384K ×8位/ 8192K ×16位)快闪记忆体页模式闪存, CMOS 3.0伏只 [128 Megabit (16384K x 8-bit / 8192K x 16-bit) Flash Memory Page mode Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 54 页 / 741 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29GL128H/L
EN29GL128
128兆位( 16384K ×8位/ 8192K ×16位)闪存
页模式闪存, CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 〜3.6伏读
写操作
高性能
- 存取时间快70纳秒
V
IO
输入/输出1.65 〜3.6伏特
- 所有的输入电平(地址,控制和DQ输入
电平)和输出由电压确定
在V
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
32字/ 64字节的写缓冲区整体减少
编程时间多字的更新
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久,
安全标识
- 可以编程并锁定了
客户
统一64Kword / 128K字节扇区
建筑一百28
扇区
暂停和恢复的命令
编程和擦除操作
写操作状态位指示程序
和擦除操作完成
支持CFI (通用闪存接口)
高级行业持续的方法
保护
WP # / ACC输入
- 加速编程时间(当V
HH
is
应用篇)系统,在更大的吞吐量
生产
- 保护第一个或最后一个扇区不管
部门保护设置
硬件复位输入( RESET # )复位
设备
就绪/忙#输出( RY / BY # )检测
编程或擦除周期完成
最低100K的程序/擦除次数
周期。
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64球11毫米X 13毫米BGA
工业级温度范围。
概述
该EN29GL128提供25 ns的快速页面访问时间与相应的随机存取时间
快70纳秒。它具有一个写缓冲器,允许编程最多32个字/ 64字节
在一次操作中,从而加快有效的编程时间比标准的编程算法。
这使得该器件非常适用于当今的嵌入式应用需要更高的密度,更好的
性能和更低的功耗。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
牧师H,发行日期: 2009/10/01