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EN29LV010-70TIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV010-70TIP
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内容描述: 1兆位( 128K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [1 Megabit (128K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 402 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV010
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求编程或擦除数据提供
防止意外写操作的命令定义表所示。此外,该
以下硬件的数据保护措施,防止意外删除或编程,这
否则可能会被错误的系统电平信号时的Vcc上电和断电引起
转换,或从系统中的噪声。
低V
CC
写禁止
当VCC低于V
LKO
,该设备不接受任何写周期。这期间保护数据
VCC上电和断电。命令寄存器和所有内部程序/擦除电路
残疾人和设备重置。随后的写操作被忽略,直到VCC电压大于V
LKO
。该
系统必须提供正确的信号给控制引脚时,防止无意识的Vcc
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)上的噪声脉冲
OE
,
CE
or
宽E
不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有任何一个抑制
OE
= VIL ,
CE
= VIH ,或
宽E
= VIH 。要启动
写周期
CE
宽E
必须是逻辑零,而
OE
是一个逻辑1 。如果
CE
,
宽E
OE
所有的逻辑零(不推荐使用) ,它会被认为是读操作。
上电时禁止写入
上电过程中,设备会自动复位到读模式并锁定了写周期。连
CE
= V
IL
,
宽E
= V
IL
OE
= V
IH
,该设备将不接受的上升沿命令
WE
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日