EN29LV160C
EN29LV160C
16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
•
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
•
高性能
- 存取时间快70纳秒
•
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
μA
待机电流
•
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节/字编程时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 100ms的典型
芯片擦除时间： 4S典型
•
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
•
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
•
单扇区和芯片擦除
•
部门撤消模式
•
嵌入式擦除和编程算法
•
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
•
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
•
VCC低于写入禁止< 2.5V
•
最低100K的程序/擦除次数
周期
•
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米TFBGA
•
工业温度范围
•
灵活的部门架构：
- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，
和31的64字节扇区（字节模式）
- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字
和31 32 K字部门（字模式）
•
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
•
安全硅行业
- 为代码或数据提供了一个128字区
可以永久地保护。
- 一旦这个行业是受保护的，禁止
编程或再次部门内删除。
概述
该EN29LV160C是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV160C提供3.0V电压读出和写入操作时，与存取时间快为70ns ，以
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160C有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。该设备被设计为允许单个部门或
整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
©2004宙硅解决方案公司，
1
或修改，由于改变的技术规格。
版本C ，发行日期： 2011年10月26日
www.eonssi.com
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
