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EN29LV640TB-70TCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV640TB-70TCP
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内容描述: 64兆位( 8M ×8位/ 4M ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 53 页 / 476 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV640T/B
EN29LV640T/B
64兆位( 8M ×8位/ 4M ×16位)闪存
引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 〜3.6伏读
写操作
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
μA
目前在待机或自动
睡眠模式。
标准数据#投票和切换位
特征
解锁绕道程序命令支持
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
支持JEDEC通用闪存接口
( CFI ) 。
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K的程序/擦除次数
周期。
RESET #硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能允许
保护最外层的两个引导扇区,
无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能提供
加速计划时间
封装选项
- 48引脚TSOP (类型1 )
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围内。
灵活的部门架构:
- 8个8 KB的行业,一百
27 32K字/ 64K字节的扇区。
- 8 KB的行业为顶部或底部启动。
- 行业/类别组保护:
部门,以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外,临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
Word程序时间: 8μs典型
扇区擦除时间: 500ms的典型
芯片擦除时间: 64S典型
JEDEC标准兼容
概述
该EN29LV640T / B是64兆位,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体,
组织为8,388,608字节或4,194,304字。任一词通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV640T / B提供3.0V电压读写操作,访问时间以最快的速度为70ns至
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV640T / B已经独立输出使能( OE # ) ,芯片使能( CE # ) ,和写使能( WE# )
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2007/05/16