欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EN29LV800AB-70TC 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV800AB-70TC图片预览
型号: EN29LV800AB-70TC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 591 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
 浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EN29LV800AB-70TC的Datasheet PDF文件第15页  
EN29LV800A
命令德网络nitions
EN29LV800A的操作由写入命令的一个或多个命令选定
寄存器执行读/复位内存,读取ID ,读取扇区保护,程序,扇区擦除,
芯片擦除,擦除暂停和擦除恢复。命令是由数据序列的
写在通过命令寄存器的具体地址。对于指定的操作的序列
该命令定义表(表5)中所定义。地址不正确,不正确的数据值
或不当序列将重置设备读取模式。
表5. EN29LV800A命令定义
总线周期
命令
顺序
RESET
生产厂家
ID
自选
器件ID
热门引导
器件ID
底部启动
部门保护
VERIFY
节目
4
字节
字节
字节
4
字节
4
3
2
2
6
6
1
1
AAA
555
AAA
555
AAA
XXX
XXX
555
AAA
555
AAA
xxx
xxx
AA
AA
A0
90
AA
AA
B0
30
4
4
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AA
555
2AA
555
2AA
555
PA
XXX
2AA
555
2AA
555
55
55
PD
00
55
55
555
AAA
555
AAA
80
80
555
AAA
555
AAA
AA
AA
2AA
555
2AA
555
55
55
555
AAA
SA
10
30
AA
AA
周期
1
st
周期
地址数据
2
nd
3
rd
4
th
5
th
6
th
周期
地址数据
周期
ADDR
数据
周期
地址数据
周期
地址数据
周期
地址数据
1
1
RA
xxx
555
RD
F0
2AA
AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
55
55
55
AAA
555
AAA
555
AAA
555
55
AAA
555
AAA
555
AAA
A0
20
90
90
90
555
90
000/
100
000/
200
X01
X02
X01
X02
(SA)的
X02
(SA)的
X04
PA
7F/
1C
7F/
1C
22DA
DA
225B
5B
XX00
XX01
00
01
PD
字节
解锁绕道
字节
解锁绕道程序
解锁绕道复位
芯片擦除
字节
扇区擦除
字节
擦除挂起
删除恢复
地址和数据值以十六进制表示
RA =读地址:内存位置的地址进行读取。这是一个读周期。
RD =读取数据:读取操作过程中,从位置RA读取数据。这是一个读周期。
PA =程序地址:所述存储单元的地址进行编程。 X =不 - 护理
PD =程序数据:数据在位置PA编程
SA =扇区地址:该部门的地址被删除或验证。地址位A18 - A12唯一选择任何行业。
读阵列数据
该装置会自动设置为开机后读取阵列数据。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列数据完成一个嵌入式程序后,
或嵌入式擦除算法。
以下擦除挂起命令,擦除挂起模式进入。该系统可以读
使用标准的读出定时,在该唯一的区别,即使读取时的地址的数组数据
暂停擦除扇区内,设备输出状态数据。完成编程后
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
11
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本C ,发行日期: 2005年1月10日