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EN29LV800BB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV800BB-70TI
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内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 346 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV800B
EN29LV800B
8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存
引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围: 3.0〜3.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
高性能
- 存取时间快55纳秒
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
µA
典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构:
- 一个16K字节, 2个8 KB的,一个32字节,
和15 64字节扇区(字节模式)
- 一个8 - K字,两个4千字,一个16- K字
和15 32千字部门(字模式)
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间: 8μs典型
- 扇区擦除时间: 500ms的典型
部门保护:
- 硬件扇区,以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外,临时机构撤消
允许在先前锁定的代码更改
部门。
JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
JEDEC标准的数据#投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
擦除挂起/恢复模式:
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K耐力周期
封装选项
- 48引脚TSOP (类型1 )
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV800B是8兆,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体,
组织为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV800B提供3.0V电压读出和写入操作时,与存取时间快55ns到
省去了在高性能微处理器系统WAIT语句。
该EN29LV800B有独立的输出使能( OE # ) ,芯片使能( CE # ) ,和写使能( WE# )
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
修订版G,发行日期: 2006年5月16日