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EN29LV040A-55RJCP 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV040A-55RJCP图片预览
型号: EN29LV040A-55RJCP
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [4 Megabit (512K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 33 页 / 258 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV040A
命令德网络nitions
该EN29LV040A的操作由写入到一个或多个命令中选择
命令寄存器执行读/复位内存,读取ID ,读取扇区保护,程序,
扇区擦除,芯片擦除,擦除暂停和擦除恢复。命令是由数据的
序列通过命令寄存器写入特定的地址。对于指定的序列
操作中的命令定义表(表5)中所定义。地址不正确,不正确的数据
值或不当序列将重置设备读取模式。
表5. EN29LV040A命令定义
总线周期
命令
顺序
RESET
制造商ID
自选
周期
1
st
2
nd
3
rd
4
th
5
th
6
th
周期
添加
数据
周期
添加
数据
周期
添加
数据
周期
添加
数据
周期
添加
数据
周期
添加
数据
1
1
4
RA
Xxx
555
RD
F0
AA
2AA
55
555
90
000
100
7F
1C
器件ID
4
555
AA
2AA
55
555
90
X01
4F
部门保护验证
4
555
AA
2AA
55
555
90
(SA)的
X02
PA
555
555
00/
01
PD
AA
AA
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
节目
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起
删除恢复
4
6
6
1
1
555
555
555
xxx
xxx
AA
AA
AA
B0
30
2AA
2AA
2AA
55
55
55
555
555
555
A0
80
80
地址和数据值以十六进制表示
RA =读地址:内存位置的地址进行读取。这是一个读周期。
RD =读取数据:读取操作过程中,从位置RA读取数据。这是一个读周期。
PA =程序地址:所述存储单元的地址进行编程。 X =不 - 护理
PD =程序数据:数据在位置PA编程
SA =扇区地址:该部门的地址被删除或验证。地址位A18 - A16唯一选择任何行业。
读阵列数据
该装置会自动设置为开机后读取阵列数据。没有命令需要检索
数据。该器件还准备读阵列数据完成一个嵌入式程序或嵌入式后
擦除算法。
以下擦除挂起命令,擦除挂起模式进入。该系统可以读出数组数据
使用标准的读出定时,在该唯一的区别,即使读取的内擦除一个地址
悬浮部门,设备输出状态数据。在完成编程操作,在擦除之后
暂停模式中,系统可以再次以相同的异常读取阵列的数据。
复位命令必须发出重新启用该设备用于读出阵列的数据,如果DQ5变高时,或在
在自动选择模式。请参阅下一节复位的详细信息。
该数据表可以通过后续的版本中修改
© 2003宙硅解决方案公司,
9
或修改,由于改变的技术规格。
修订版E,发行日期: 2011/10/27
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