欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EN29LV160AB-70BIP 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV160AB-70BIP图片预览
型号: EN29LV160AB-70BIP
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16兆位( 2048K X 8位/ 1024 KX 16位)闪存 [16 MEGABIT (2048K X 8- BIT / 1024 K X 16-BIT) FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 43 页 / 410 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
 浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV160AB-70BIP的Datasheet PDF文件第9页  
EN29LV160A
EN29LV160A
16兆位( 2048K ×8位/ 1024K ×16位)闪存
引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只
特点
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
µA
待机电流
- 扇区擦除时间: 500ms的典型
- 芯片擦除时间: 17.5s典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准的数据#投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
灵活的部门架构:
- 一个16K字节, 2个8 KB的,一个32字节,
和31的64字节扇区(字节模式)
- 一个8 - K字,两个4千字,一个16- K字
和31 32 K字部门(字模式)
部门保护:
- 硬件扇区,以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外,临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间: 8μs典型
周期
封装选项
- 48引脚TSOP (类型1 )
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV160A是16兆位,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体,
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。
该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作,访问时间
为70ns ,从而无需在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160A有独立的输出使能( OE # ) ,芯片使能( CE # ) ,和写使能
( WE# )控制,这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许
单扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置
可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本C ,发行日期: 2005年1月7日