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EN29LV400AB-70BI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70BI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A
EN29LV400A
4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存
引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只
特点
3V单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围: 3.0〜3.6伏读
和写入操作的兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
高性能
- 存取时间快45纳秒
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
µA
典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构:
- 一个16 K字节, 2 8 K字节, 1个32 K-字节,
七64千字节扇区(字节模式)
- 一个8 K字, 2个4 K-字一16 K字
七是32K字部门(字模式)
部门保护:
- 硬件扇区,以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外,临时机构撤消
允许在先前锁定的代码更改
部门。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间: 8μs典型
- 扇区擦除时间: 500ms的典型
JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
JEDEC标准的数据#投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
擦除挂起/恢复模式:
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
周期
封装选项
- 48引脚TSOP (类型1 )
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV400A是4兆,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体,
组织为524,288字节或256144字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV400A提供3.0V电压读出和写入操作时,与存取时间快,为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV400A有独立的输出使能( OE # ) ,芯片使能( CE # ) ,和写使能( WE# )
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置可承受
至少100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2005年1月7日