欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EN29LV400AT-55RTIP 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV400AT-55RTIP图片预览
型号: EN29LV400AT-55RTIP
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
 浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第13页  
EN29LV400A
要访问系统的自动选择编码;主机系统可以通过发出自动选择命令
命令寄存器,如图所示的命令定义表中。此方法不需要
V
ID
。请参阅“命令定义”使用自动选择模式的详细信息。
写模式
写操作,包括编程数据和擦除的存储扇区,需要主机
系统编写的命令或命令序列到设备。写周期被启动
把字节或字地址上的设备的地址输入,而将要写入的数据被输入
在DQ [ 7 :0]字节模式( BYTE # = L)或DQ [ 15 : 0 ]在Word模式( BYTE # = H ) 。主机系统
必须驱动CE #和WE #引脚低电平, OE #引脚为高有效的写操作发生。
所有地址锁存, WE#和CE #下降沿,以较迟者为准发生。所有数据
锁存WE#或CE #的上升沿,先发生者为准。该系统不要求
为进一步控制或定时。该设备会自动提供内部生成的程序/
擦除脉冲和验证的编程/擦除细胞的保证金。主机系统可以检测到
一个程序完成或通过观察RY / BY#销擦除操作,或通过读取DQ [7]
(数据#查询)和DQ [6] (切换)的状态位。
本文档中的“命令定义”部分提供了具体的器件的详细信息
在EN29LV400A执行命令。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个程序,任何部门擦除操作。该
硬件部门解除保护功能重新启用这两个程序,并在此前擦除操作
受保护的行业。
有两种方法来实现此硬件保护电路。只有第一个要求
该RESET #引脚处于V
ID
然后标准微处理器的定时可以被用来使能或
禁用该功能。见流程图7a和7b的算法和图12的定时。
在做部门撤消,所有其他部门,应首先保护。
第二种方法是指用于编程设备。这种方法需要V
ID
被应用到
既OE#和A9销和非标准微处理器定时被使用。这种方法被描述
在一个名为EN29LV400A补充独立的文件,
这可以通过接触来获得
代表宙硅器件公司
临时机构撤消
开始
此功能允许先前保护的临时解除保护
行业团体来改变数据,同时在系统。该部门
取消保护模式通过设置RESET #引脚V激活
ID
.
在这种模式下,以前受保护的行业可以被编程
或擦除通过简单地选择扇区地址。一旦是
从RESET #引脚去掉,所有以前受保护的行业
再次得到保护。
请参阅随附的人物和时间
图了解更多详情。
注意事项:
1.所有受保护的行业保护。
2.以前受保护的行业保护
再次。
RESET# = V
ID (注1 )
执行擦除或编程
操作
RESET# = V
IH
临时机构
撤消已完成
(注2 )
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
9
©2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2005年1月7日