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EN29LV512-70SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70SCP
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
EN29LV512
512千位( 64K ×8位)的统一部门,
CMOS 3.0伏只快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围: 3.0〜3.6伏读
和写为高性能操作
3.3伏的微处理器。
高性能
- 全电压范围:存取时间快55
ns
为快速存取时间:稳压电压范围 -
如为45nS
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
µA
典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
-
-
-
-
灵活的部门架构:
4个16字节扇区
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护和解除保护:
部门,以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间: 8μs典型
- 扇区擦除时间: 500ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和触发位
特征
单扇区和芯片擦除
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
>100K编程/擦除周期耐力
da0.
封装选项
- 采用8mm x 20毫米32脚TSOP (类型1)
- 采用8mm x 14毫米32脚TSOP (类型1)
- 32引脚PLCC
-
商用和工业温度范围
概述
该EN29LV512是512 Kbit的,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体,组织
为65,536字节。任何字节通常可以在8μs进行编程。该EN29LV512特点3.0V
电压读出和写入操作时,与存取时间快,为45nS ,以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29LV512有独立的输出使能(
OE
) ,芯片使能(
CE
)和写使能( WE)
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日