EN29LV641H / L EN29LV640U
EN29LV641H / L EN29LV640U
64兆位（ 4096K ×16位）快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体
特点
•
单电源工作
- 全电压范围： 2.7〜 3.6伏读，
擦除和编程操作
•
低功耗的缺点
umption （ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
µA
目前在待机或自动
睡眠模式。
软件特点：
•
行业组保护
- 提供部门，以防止程序锁
或擦除单个部门内业务
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
受保护的行业。
•
标准数据＃投票和切换位
特征
•
解锁绕道程序命令支持
•
扇区擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
扇区擦除挂起模式
•
支持JEDEC通用闪存接口
（ CFI ） 。
硬件特性：
•
RESET ＃硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
•
WP ＃输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许
保护第一个或最后一个32K字的部门，
不管以前的行业保护状态
•
ACC输入引脚
- 加速度（ ACC ）功能提供
加速程序时间高
吞吐量的生产。
•
JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存标准
•
在0.18微米工艺制造
技术
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灵活的部门架构：
- 一百28 32K字
部门。
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最低100K的程序/擦除次数
周期。
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-
-
-
高性能的编程和擦除
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 64S典型
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封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球11毫米x 12毫米FBGA
概述
该EN29LV641H / L / EN29LV640U是一个64兆位（ 4,194,304x16 ） ，电可擦，读/写
非挥发性快闪记忆体。任一词通常可以在8μs进行编程。该装置是完全
指令集与JEDEC单电源闪存标准兼容。
该EN29LV641H / L / EN29LV640U设计，让无论是单扇区或整片擦除
操作，其中每个类别组可以被保护，以防止编程/擦除操作或
暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2005/06/28
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
