EN29PL064/032
EN29PL064/032
64/32兆位（ 4/2的M× 16位） CMOS电压3.0只，
同时，读/写闪存
特色鲜明
架构优势
•
64/32兆位页面模式设备
- 4个字页面大小：快速页面读取访问权限
从页内的任意位置
•
单电源工作
- 2.7V至3.3V电压范围内有效的MCP
产品
- 单电压， 2.7V至3.6V的读取和写入
操作
•
同时读/写操作
- 可以将数据连续地从一个存储体读
在执行擦除/编程功能
另一家银行
- 从写零延迟切换阅读
操作
•
FlexBank架构（ PL064 / PL032 ）
- 4个独立的银行，拥有多达两个并发
每台设备的操作
- 银行A ：
PL064 - 8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
PL032 - 4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
- 银行B：
PL064 - 24兆位（ 32千瓦×48 ）
PL032 - 12兆位（ 32千瓦×24 ）
- 银行C：
PL064 - 24兆位（ 32千瓦×48 ）
PL032 - 12兆位（ 32千瓦×24 ）
- 银行D：
PL064 - 8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
PL032 - 4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
•
安全硅行业区域
- 最多64个客户，可锁定的话
•
在一个设备中底部和顶部的引导块
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数据保存：20年典型
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自行车耐力： 100K周期每扇区
典型
性能特点
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高性能
页面访问时间快25纳秒
随机存取时间快70纳秒
32字/ 64字节的写缓冲区整体减少
编程时间多字的更新
功耗（在10 MHz时的典型值）
45毫安有效的读电流
17毫安编程/擦除电流
0.2 μA典型待机模式电流
软件特点
•
软件指令集兼容
JEDEC 42.4标准
•
CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统，允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
•
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，以便阅读或
在同其他部门的程序操作
银行
•
程序挂起/恢复计划
- 挂起的程序操作，使阅读
从行业比另一个操作
被编程
•
解锁绕道程序命令
- 降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令
序列
硬件特性
•
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
•
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
•
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
- 在V
IL
，对于第一硬件级别的保护和
最后两个4K字部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程中
出厂设置
•
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业的组合
基团，以防止编程或擦除操作
该部门内
- 扇区可以被锁定和解锁的系统内，在
V
CC
水平
•
封装选项
- 56球精细间距BGA
- 48球精细间距BGA
- 48针TSOP - 1
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
Rev. D的，发行日期： 2008/03/27
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
