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EN29SL400B-90BIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29SL400B-90BIP
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 1.8伏只 [4 Megabit (512K x 8-bit / 256K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 1.8 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 40 页 / 299 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29SL400
表2B 。底部引导块,扇区架构
地址范围
扇形
(X16)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
扇形
SIZE
(千字节/
K字)
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
A17
A16
A15
A14
A13
A12
(X8)
70000h -7FFFFh
60000H 〜 6FFFFh
50000H 〜 5FFFFh
40000H 〜 4FFFFh
30000H 〜 3FFFFH
20000H 〜 2FFFFh
10000H 〜 1FFFFH
08000H - 0FFFFH
06000H - 07FFFH
04000H - 05FFFH
00000H - 03FFFh
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
X
X
X
X
X
X
X
1
0
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
1
0
X
产品选择指南
产品编号
稳压电压范围: VCC = 1.8 -2.2V
速度选项
全电压范围: VCC = 1.65 - 2.2 V
最大访问时间, NS (
t
)
最大CE#访问, NS (
t
ce
)
最大OE #访问, NS (
t
oe
)
70
70
30
-70
-90
90
90
35
EN29SL400
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
5
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2006年4月14日