EN29SL400
EN29SL400
4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 1.8伏只
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 1.65-2.2伏读和
写操作。
- 非常适合电池供电的应用。
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高性能
- 存取时间快70纳秒
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低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 0.2
µA
典型待机电流
•
灵活的部门架构：
- 一个16 K字节， 2 8 K字节， 1个32 K-字节，
七64千字节扇区（字节模式）
- 一个8 K字， 2个4 K-字一16 K字
七是32K字部门（字模式）
•
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构撤消
允许在先前锁定的代码更改
部门。
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高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间：为5μs /为7μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
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JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
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JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
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单扇区和芯片擦除
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部门撤消模式
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擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
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三金属双聚三阱COMS闪光
技术
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VCC低于写入禁止< 1.2V
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
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商用和工业温度
范围
概述
该EN29SL400是4兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为524,288字节或字262144 。任何字节通常可以在5μs的编程。该
EN29SL400提供1.8V电压读出和写入操作，以访问时间尽可能快地为70ns ，以
省去了在高性能微处理器系统WAIT语句。
该EN29SL400有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2006年4月14日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
