EN39LV010
EN39LV010
1兆位（ 128K ×8位）， 4 KB的统一部门，
CMOS 3.0伏只快闪记忆体
特点
•
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.0〜3.6伏读
和写为高性能操作
3.3伏的微处理器。
•
高性能
- 全电压范围：存取时间快70
ns
为快速存取时间：稳压电压范围 -
如为45nS
•
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
µA
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
•
灵活的部门架构：
- 三十二个4K字节扇区
•
部门保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
•
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 90ms的典型
•
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
•
JEDEC标准
数据
轮询和触发位
特征
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单扇区和芯片擦除
•
嵌入式擦除和编程算法
•
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
•
三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
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VCC低于写入禁止< 2.5V
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最低100K的程序/擦除次数
周期
•
封装选项
- 采用4mm x 6毫米34球WFBGA
- 采用8mm x 14毫米32脚TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
•
工业温度范围
概述
该EN39LV010是1兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，组织
为131,072字节。任何字节通常可以编程8μs.The EN39LV010功能3.0V
电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS ，以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN39LV010有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
© 2003宙硅解决方案公司， www.eonssi.com
版本B ，发行日期： 2009/03/16
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
