EN39SL800
EN39SL800
8兆位（ 512K ×16位）闪存4K字节扇区制服，
CMOS 1.8伏只
特点
•
单电源工作
- 全电压范围： 1.65-1.95伏的读取和
写操作。
- 非常适合电池供电的应用。
•
高性能
- 存取时间快70纳秒
•
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 5毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 0.2
μA
典型待机电流
•
统一的部门架构：
- 256个扇区的2 - K字
•
-
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 90ms的典型
块擦除时间： 180ms的典型
芯片擦除时间： 2秒典型
•
JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
•
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
•
单扇区，块和芯片擦除
•
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个扇区/块
擦除挂起模式
•
VCC低于写入禁止< 1.2V
•
最低100K耐力周期
•
封装选项
- 48球的6mm x 8毫米TFBGA
- 48球的4mm x 6毫米WFBGA
•
工业温度范围
- 32 K字的16个块
- 任何部门或块可独立擦除
•
块保护：
- 硬件块，以防止锁定
在编程或擦除操作
各个块
•
芯片撤消模式
概述
该EN39SL800是8兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为524,288字。任何词通常可以编程8μs.The EN39SL800功能1.8V
电压读出和写入操作时，访问时间尽可能快地为70ns ，以消除需要等待
声明在高性能微处理器系统。
该EN39SL800有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）控制，
这消除了总线争用问题。该设备被设计为允许单个扇区/块或全
芯片擦除操作，每个模块可以单独保护，防止编程/擦除操作或
无保护芯片擦除或编程。该器件可承受的最低的100K编程/擦除周期上
每个扇区或块。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师H，发行日期： 2011/02/14
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
