EN39SL160AH/L
EN39SL160AH/L
16兆位（ 1024K ×16位）闪存4K字节制服
部门， CMOS 1.8伏只
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 1.65-1.95伏的读取和
写操作。
- 非常适合电池供电的应用。
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高性能
- 存取时间快70纳秒
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低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 5毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 0.2
μA
典型待机电流
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统一的部门架构：
- 2 - 千字512个扇区
- 32 - K字32块
- 任何部门或块可独立擦除
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WP ＃ / ACC输入引脚：
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许保护
第一个或最后一个块不管，块
保护状态
- 加速度（ ACC ）功能加速
项目时间。
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块组保护：
- 硬件块，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
块
- 此外，临时撤消座
允许在先前锁定的代码更改
块。
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高性能的编程/擦除速度
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 90ms的典型
块擦除时间： 180ms的典型
芯片擦除时间： 4S典型
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JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
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JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
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单扇区，块和芯片擦除
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芯片撤消模式
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擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个扇区/块
擦除挂起模式
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VCC低于写入禁止< 1.2V
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 48球的6mm x 8毫米TFBGA
- 48球的4mm x 6毫米WFBGA
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工业温度范围
概述
该EN39SL160AH / L是一个16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为1,048,576字。任何词通常可以在8μs.The EN39SL160AH / L编程
特性的1.8V电压的读写操作，具有存取时间尽可能快地为70ns ，以消除对
等待在高性能微处理器系统的陈述。
该EN39SL160AH / L有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。该设备被设计为允许单个扇区/块
或整片擦除操作，每个模块可以单独保护，防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除每个扇区或块周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
版本C ，发行日期： 2011年9月15日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
