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EN71NS032A0 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN71NS032A0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM 32兆位( 2M ×16位) CMOS 1.8伏只突发同时使用,复用闪存和16兆位( 1M ×16位)伪静态RAM [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM 32 Megabit (2M x 16-bit) CMOS 1.8 Volt-only Burst Simultaneous Operation, Multiplexed Flash Memory and 16 Megabit (1M x 16-bit) Pseudo Static RAM]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 10 页 / 286 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN71NS032A0
EN71NS032A0
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM
32兆位( 2M ×16位) CMOS 1.8伏只突发同步
操作上,复用闪存和
16兆位( 1M ×16位)伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
1.7V的电源电压为1.95V
高性能
- 70纳秒@随机存取
- 7纳秒@突发存取( 108MHz的)
- 6.2× 7.7× 1.0毫米56球BGA
工作温度
- 25 ° C至+ 85°C
概述
EN71NS032A0是堆叠多芯片产品(MCP )封装产品线和由以下组成:
突发同时使用,复用NOR闪存。
突发模式,复用伪SRAM 。
有关详细规格,请参考下表中列出的个人数据资料。
设备
NOR闪存
伪SRAM
文件
EN29NS032
ENPSS16
闪存密度
闪存访问时间
闪光灯连拍模式
最大频率
32Mb
为70ns在异步。模式
为7ns在突发读
108MHz
56焊球BGA
PSRAM的密度
PSRAM访问时间
PSRAM连拍模式
最大频率
16Mb
为70ns在异步。模式
为7ns在突发读
108MHz
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
版本B ,发行日期: 2011/07/05