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EM42BM1684RBA-7FE 参数 Datasheet PDF下载

EM42BM1684RBA-7FE图片预览
型号: EM42BM1684RBA-7FE
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内容描述: 256MB ( 4M 】 4Bank 】 16 ),双倍数据速率SDRAM [256Mb (4M】4Bank】16) Double DATA RATE SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 19 页 / 293 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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eorex
(V
DD
= 2.5V ± 0.2V ,T
A
=0°C ~70°
C)
输出负载
初步
EM42AM1684RBA
AC运行试验条件
条件
1.25V/1.25V
见如下图
V
REF
+0.31V/ V
REF
-0.31V
1ns
V
DDQ
/2
输出参考电平
输入信号电平
输入信号的转换时间
输入参考电平
AC工作特性测试
(V
DD
= 2.5V ± 0.2V ,T
A
=0°C ~70°
C)
符号
t
DQCK
t
DQSCK
t
CL
,t
CH
t
CK
t
DH
,t
DS
t
DIPW
t
HZ
,t
LZ
t
DQSQ
t
DQSS
t
DSL
,t
DS
H
参数
从CLK , / CLK DQ输出访问
从CLK , / CLK DQS输出访问
CL低/高电平宽度
时钟周期时间
CL=2
CL=2.5
-6
分钟。
-0.7
-0.6
0.45
6
6
0.45
1.75
-0.7
0.45
0.75
1.25
0.7
马克斯。
0.7
0.6
0.55
12
12
-7.5
分钟。
马克斯。
-0.75
-0.75
0.45
7.5
7.5
0.5
1.75
-0.75
0.5
0.75
1.25
0.75
0.75
0.75
0.55
12
12
单位
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
DQ和DM保持/建立时间
DQ和DM输入脉冲宽度为
每个输入
数据输出高/低阻抗时间
从CLK , / CLK
DQS -DQ歪斜的相关DQ
信号
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS输入有效的窗口
模式寄存器设置命令周期
时间
写序言建立时间
写序言
地址/控制输入保持/设置
时间
阅读序言
0.35
21
0
0.4
0.8
0.9
1.1
0.9
0.6
0.4
0.35
2
0
0.6
1.0
1.1
t
MRD
t
WPRES
t
WPST
t
IH
,t
IS
t
RPRE
2006年7月
t
CK
ns
t
CK
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