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EM44AM1684LBA-37F 参数 Datasheet PDF下载

EM44AM1684LBA-37F图片预览
型号: EM44AM1684LBA-37F
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内容描述: 256MB ( 4M 】 4Bank 】 16 )双数据速率2 SDRAM [256Mb (4M】4Bank】16) Double DATA RATE 2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 1543 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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eorex
特点
• JEDEC标准VDD / VDDQ = 1.8V
±
0.1V.
•所有输入和输出都兼容
SSTL_18接口。
•全差分时钟输入( CK , / CK )操作。
• 4银行
•中科院发布
•突发长度: 4和8 。
•可编程CAS延迟( CL ) : 3 , 4和5 。
•可编程的附加延迟( AL ) :
0,1, 2,3和4 。
•写延迟( WL ) =读延时( RL ) -1 。
•读延迟( RL ) =可编程添加剂
延迟( AL ) + CAS延迟( CL )
•双向差分数据选通( DQS ) 。
•在DQS中心的数据输入时写。
•在DQS数据输出, / DQS边读时。
•片上DLL对齐DQ , DQS和/ DQS过渡
与CK过渡。
• DM面具写入数据,在该上升沿和下降沿
数据选通的边缘。
•顺序&交错突发可用类型。
•片外驱动器( OCD )阻抗调整
•片上终端( ODT )
•自动刷新和自刷新
• 8,192刷新周期/ 64ms的
•平均更新周期7.8us时于T低
85°C , 3.9us在85°C <牛逼
95°C
•符合RoHS标准
•部分阵列自刷新( PASR )
•高温度自刷新速率使得
EM44AM1684LBA
256MB ( 4M
×
4Bank
×
16)
双倍数据速率2 SDRAM
描述
该EM44AM1684LBA是高速双倍数据
传输速率2( DDR2 )同步DRAM与制造
含超高性能CMOS工艺
该组织为4Mbits ×4 268435456位
银行由16位。
该同步装置实现了高速
高达667的双倍数据速率的传输速率
MB /秒/针( DDR2-667 )一般应用。
该芯片被设计为符合以下
关键DDR2 SDRAM的特点: ( 1 )贴有CAS
附加延迟, ( 2 )写延时=读延时-1 ,
( 3 )片外驱动器( OCD )阻抗调节
和片上终端( 4 )正常和弱
强度数据输出驱动器。
所有的控制和地址输入是
有一对从外部提供的同步
差分时钟。输入被锁在十字架上
点差分时钟( CK升高和/ CK下降) 。
所有的I / O都具有一对双向的同步
选通信号( DQS和/ DQS)在源同步
时尚。地址总线用于传送行
在/ RAS和列的阵地址信息和
/ CAS复用的风格。
512MB的DDR2器件采用单
电源: 1.8V
±
0.1V VDD和VDDQ 。
可用封装: TFBGA - 84Ball ( 12.5mmx10mm ,
0.8毫米X球间距为0.8mm ) 。
订购信息
部件号
EM44AM1684LBA-5F
EM44AM1684LBA-37F
EM44AM1684LBA-3F
组织
16M ×16
16M ×16
16M ×16
马克斯。频率
DDR2-400MHz 3-3-3
DDR2-533MHz 4-4-4
DDR2-667MHz 5-5-5
TFBGA-84Ball
TFBGA-84Ball
TFBGA-84Ball
GRADE
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Pb
免费
免费
免费
注:速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的
2006年7月
1/29
www.eorex.com