EM47CM1688SBB
1GB （ 8M × 8Bank × 16 ），双倍数据速率SDRAM 3
特点
• JEDEC标准VDD / VDDQ = 1.5V ± 0.075V 。
•所有输入和输出与SSTL_15兼容
界面。
•全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作。
•八家银行
•通过可编程的附加延迟发布CAS ： 0 ，
CL- 1 & CL- 2
•胸围长度： 4与突发印章（ BC）和8 。
• CAS写延迟（ CWL ） ： 5,6,7,8
•可编程CAS延迟（ CL ） ： 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11
•写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1 。
•双向差分数据选通（ DQS ） 。
•在DQS中心的数据输入时写。
•在DQS数据输出， / DQS边读时。
•片上DLL对齐DQ ， DQS和/ DQS过渡
与CK过渡。
• DM面具写入数据，在该上升沿和下降沿
数据选通的边缘。
•顺序&交错突发类型都可用
8 & 4 BC 。
•多用途寄存器（ MPR ）的预定义
图形读出
•片上终端（ ODT ）选项：同步
ODT ，动态ODT和异步ODT
•自动刷新和自刷新
• 8,192刷新周期/ 64ms的
•刷新间隔： 7.8us牛逼
例
在0 ° C〜 85°C
•刷新间隔： 3.9us牛逼
例
在85 ° C〜 95℃
•符合RoHS标准
•驱动力： RZQ / 7 ， RZQ / 6 （ RZQ = 240Ω ）
•高温度自刷新速率使得
• ZQ校准DQ驱动和ODT
• RESET引脚进行初始化和复位功能
描述
该EM47CM1688SBB是高速双倍数据
率3 （ DDR3 ）同步DRAM与制造
含1G超高性能CMOS工艺
该组织为8Mbits ×8银行由16位位。
该同步装置实现了高速
高达1600的双数据速率的传输速率
MB /秒/针（ DDR3-1600 ）一般应用。
该芯片的设计符合下列关键
DDR3 SDRAM的特点： （ 1 ）贴有CAS
附加延迟， （ 2 ）写延时=读延时-1 ，
（ 3 ）片上终端（ 4 ）可编程的驱动程序
强度数据， （ 5 ）无缝BL4访问。所有的
控制和地址输入与同步
对外部提供的差分时钟。输入
被锁存时的差分时钟的交叉点
（ CK升高和/ CK下降） 。所有I / O同步
有一对双向差分数据选通信号
（ DQS和/ DQS）在源同步方式。
地址总线用于传送行，列和
在/ RAS和/ CAS银行地址信息
复风格。 1GB的DDR3器件工作
与单电源： 1.5V ± 0.075V VDD和
VDDQ 。可用封装： FBGA - 96Ball （ ，具有0.8mm
- 球间距为0.8mm ）
2012年6月
2/38
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