EM47DM1688SBB
引脚说明（简体）
针
名字
功能
（系统时钟）
J7,K7
CK ，
CK
CK和
CK
是差分时钟输入。所有地址和控制
输入信号采样上的正边缘的交叉
CK和下降沿
CK
。输出（读出）的数据被引用到
CK的口岸和
CK
（两个交叉的方向） 。
（片选）
L2
CS
所有的命令都被屏蔽时，
CS
注册HIGH 。
CS提供了与外部系统的等级选择
多个队伍。
CS
被认为是命令代码的一部分。
（时钟使能）
CKE高激活和CKE低停用内部时钟
信号和设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE
低提供了预充电断电和自刷新操作
（所有银行闲置） ，或主动断电（行积极参与任何银行） 。
CKE是异步的自刷新退出。 VREFCA有后
上的电源和初始化序列期间变得稳定，它
必须在所有的操作（包括自刷新）来维持。
CKE必须保持高通量读写
K9
CKE
访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK ， ODT和CKE是
在断电期间禁用。输入缓冲器，除CKE ，是
在自-refresh禁用。
（地址）
N3,P7,P3,N2,
P8,P2,R8,R2,
T8,R3,L7,R7,
N7,T3
A0~A9,A10/AP,
A11,A12(
BC
),
A13
提供行地址（ RA0 - RA13 ）为活动的命令
和列地址（ CA0 - CA9 ）和自动预充电位
读/写命令，以选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。预充电时A10采样
命令，以确定是否在预充电适用于一个
银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。地址输入
另外，在模式寄存器设置命令提供的操作码。
A12是在读取和写入命令取样以确定是否
爆斩（上即时）将被执行。 （高：不爆裂斩，
LOW ：爆裂斩） 。请参见命令真值表细节。
（银行地址）
M2,N8,M3
BA0 ， BA1 ， BA2
BA0 - BA2确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用。银行还应对
确定该模式寄存器是一个MRS过程中访问
周期。
（片上终端）
ODT （注册HIGH ）使终端电阻内部
在DDR3 SDRAM 。当启用时， ODT被施加到每个DQ ，
K1
ODT
DQS ， DQS ， DMU和DML信号。该ODT引脚，如果被忽略
该模式寄存器
MR1
被编程为禁用的ODT 。
2012年6月
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