EM47FM0888MBA
4GB （ 64M × 8Bank × 8 ）
双倍数据速率3低压SDRAM
特点
• JEDEC标准VDD / VDDQ = 1.35V （ 1.283-1.45V ）
•所有输入和输出与SSTL_15兼容
界面。
•全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作。
•八家银行
•通过可编程的附加延迟中科院发布
•胸围长度： 4与突发印章（ BC）和8 。
• CAS写延迟（ CWL ） ： 5 ， 6 ， 7 ， 8
• CAS延迟（CL） ： 6，7， 8，9 ，10，11
•写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1 。
•双向差分数据选通（ DQS ） 。
•在DQS中心的数据输入时写。
•在DQS数据输出， / DQS边读时。
•片上DLL对齐DQ ， DQS和/ DQS过渡
与CK过渡。
• DM面具写入数据，在该上升沿和下降沿
数据选通的边缘。
•顺序&交错突发类型都可用
8 & 4 BC 。
•多用途寄存器（ MPR ）的预定义
图形读出
•片上终端（ ODT ）选项：同步
ODT ，动态ODT和异步ODT
•自动刷新和自刷新
• 8,192刷新周期/ 64ms的
•刷新间隔： 7.8us牛逼
例
在0 ° C〜 85°C
•符合RoHS标准
•驱动力： RZQ / 7 ， RZQ / 6 （ RZQ = 240Ω ）
•高温度自刷新速率使得
• ZQ校准DQ驱动和ODT
• RESET引脚进行初始化和复位功能
描述
该EM47FM0888MBA是高速双倍数据
率3 （ DDR3 ）的低电压同步DRAM
制造超高性能的CMOS
含4,294,967,296位的过程，
按照8位为64Mbits ×8银行。这
同步设备实现高速
高达1600的双数据速率的传输速率
MB /秒/针（ DDR3-1600 ）一般应用。
该芯片的设计符合下列关键
DDR3 SDRAM的特点： （ 1 ）贴有CAS
附加延迟， （ 2 ）写延时=读延时-1 ，
（ 3）片内终结， （ 4 ）可编程的驱动程序
强度数据， （ 5 ）无缝BL4访问
银行分组。所有的控制和地址输入
有一对从外部提供的同步
差分时钟。输入被锁在十字架上
点差分时钟（ CK升高和/ CK下降） 。
所有的I / O都具有一对双向的同步
差分数据选通信号（ DQS和/ DQS）在源极
同步方式。地址总线是用来
传达的行，列和行地址信息中
A / RAS和/ CAS复用的风格。 4GB的DDR3
器件采用单电源供电：
1.35V （ 1.283-1.45V ） VDD和VDDQ 。可用的
封装： FBGA - 78Ball （ ，具有0.8mm X 0.8毫米球
间距）
2012年7月
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