eorex
符号
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
RRD
t
CCD
t
DPL
t
BDL
t
ROH
t
REF
参数
主动对主动命令
（注6 ）
期
至预充电
（注6 ）
指令周期
预充电到激活
（注6 ）
指令周期
激活到读/写延迟
（注6 ）
时间
ACTIVE （ 1 ）活动（另一个）
（注6 ）
命令
读/写命令
读/写命令
日期，在预充电
命令
日期中突发停止命令
数据输出到高
CL=3
从阻抗
CL=2
预充电命令
刷新时间（ 8,192周期）
-7
分钟。
62
42
20
20
14
1
2
1
3
2
64
EM48AM1684VTB
AC运行试验特性（续）
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C〜 70 ° C / T
A
= -25 ° C〜 + 85°C扩展级）
最大..
-7.5
分钟。
马克斯。
67
100K
45
20
20
15
1
2
1
3
2
64
100K
单位
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
*所有电压参考V
SS
.
注6 ：
这些参数占时钟周期的数目和依赖于工作频率
时钟，如下所示：
时钟周期的数目=的定时/时钟周期指定的值（计数的级分作为一个整体
号）
推荐的上电和初始化
上和初始化序列如下功率保证设备进行预充到每个用户的
特定需要。 （与传统DRAM ）在电源上，所有的V
DD
和V
DDQ
引脚必须建立
同时，以规定的电压，当输入信号被保持在“NOP”状态。电源
电压不得超过V
DD
+ 0.3V任何输入引脚或V
DD
耗材。 （在同一CLK信号开始
时间）
接通电源后， 200微秒的初始暂停，需要遵循使用所有银行的预充电
预充电命令。
为了防止电源接通期间的DQ总线上的数据争用，它要求该DQM和CKE引脚是
保持在最初的暂停时段高点。一旦所有的银行都已预充电，该模式寄存器设置
命令必须发出初始化模式寄存器。最少八个自动刷新周期（ CBR ）
也是必需的，并且这些可能之前或编程模式寄存器后进行。
2007年4月
8/17
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