7段LED芯片
初步
辐射
红
1000
EDC-660-19-01
6/22/2007
TYPE
扩散式
技术
砷化镓/砷化镓
REV 。 05/07
电极
P（阳极）了
（典型值） 。尺寸（微米）
30
425
（典型值） 。厚度
330 µm
阴极
1130
应用
这种微型装置是
为最佳选择
应用中小
尺寸和空间的减少
是这样的重要因素
在复杂的显示
光器件的
化验，计量，
控制和医疗
设备。
金合金金属化
阳极
铝金属化
杂项参数
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
参数
温度COEF网络cient
λ
C
工作温度范围
存储温度范围
TEST
сonditions
T
a
= -40..120°
C
符号
T
C
(λ
C
)
T
AMB
T
英镑
价值
0.15
-30到+100
-40到+125
单位
纳米/ K
°
C
°
C
光学和电学特性
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
TEST
参数
条件
1
I
F
= 5毫安
正向电压
正向电压
反向电压
光强度/段
2
光强度/段
2
光强度/段
3
I
V
比段段
2
I
V
比相邻的芯片
峰值波长
光谱带宽在50 ％
1
2
符号
V
F
V
F
V
R
I
v
I
v
I
v
民
典型值
1.7
1.8
最大
1.9
2.1
单位
V
V
V
I
F
= 20毫安
I
R
= 100 µA
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
5
60
280
85
400
710
1.75
2.00
μcd
μcd
μcd
λ
p
∆λ
0.5
650
660
17
670
nm
nm
当前的一个片段
测裸芯片TO- 18头
3
测得的环氧树脂覆盖芯片TO- 18头
标签
TYPE
EDC-660-19-01
很多车次
I
V
（典型值） [ μcd ]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
在晶片包或在顶部引线键合面粘合膜芯片
*注意：所有的测量进行了
EPIGAP
设备
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
