LED - 芯片
初步
辐射
绿色
TYPE
标准
10.04.2007
技术
氮化铟镓/铝
2
O
3
ELС-490-37
转。 01/07
电极
无论在顶部
（典型值） 。在微米尺寸（ ±20 μm）的
380 µm
Ø 90µm
100 µm
P
（典型值） 。厚度
90 (±20) µm
正面金属化
金合金， 0.5微米
背面金属化
铝合金， 1.5微米
350 µm
380 µm
N
350 µm
最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
正向工作电流（DC）的
最大正向电流
工作温度范围
存储温度范围
(t
P
≤
50微秒，T
P
/T = 1/2)
测试条件
符号
I
F
I
FM
T
AMB
T
英镑
价值
20
100
-40至+85
-40至+100
单位
mA
mA
°C
°C
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
反向电压
发光强度
1
主波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
Ø100
符号
V
F
V
R
Ι
v
λ
D
∆λ
0.5
t
r
, t
f
民
典型值
3.3
最大
3.5
单位
V
V
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
5
220
480
280
490
25
20
500
MCD
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELС-490-37
很多车次
Ι
v
（典型值） [ MCD ]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
