LED - 芯片
初步
辐射
紫色
TYPE
标准
10.04.2007
技术
氮化铟镓/铝
2
O
3
ELС-410-37
转。 02/07
电极
无论在顶部
380 µm
（典型值） 。在微米尺寸（ ±20 μm）的
Ø 90µm
380 µm
350 µm
100 µm
P
（典型值） 。厚度
90 (±20) µm
阴极
金合金， 1.5微米
阳极
金合金， 1.5微米
N
350 µm
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
反向电压
辐射功率
1
辐射强度
1
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
Ø100
符号
V
F
V
R
Φ
e
Ι
e
λ
p
∆λ
0.5
t
r
, t
f
民
典型值
3,6
最大
4,5
单位
V
V
I
F
= 20毫安
I
F
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
5
1,9
1,0
400
3,0
1,3
410
17
20
420
mW
毫瓦/ SR
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELС-410-37
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
