LED - 芯片
初步
辐射
蓝
TYPE
标准
10.04.2007
技术
氮化铟镓/铝
2
O
3
ELС-470-31-1
转。 02/07
电极
无论在顶部
1000
（典型值） 。尺寸（ ± 25 ）微米
P
（典型值） 。厚度
90 (±10) µm
接触金属化
金合金， 1.5微米
背面金属化
N
N
P
铝合金， 1.0微米
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
正向电压
1)
反向电压
辐射功率
辐射功率
1,2)
发光强度
1)
峰值波长
主波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1)
2)
符号
民
典型值
最大
单位
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 20毫安
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
Ι
V
λ
P
λ
P
∆λ
0.5
t
r
, t
f
465
6000
5
8.8
2.7
3.24
3.0
3.7
V
V
V
11.5
150
6500
467
470
35
60
475
mW
mW
MCD
nm
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
只有信息
标签
TYPE
ELС-470-31-1
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
注：进行了所有测量
EPIGAP
设备
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
