LED - 芯片
07.01.2008
辐射
绿色
TYPE
标准
技术
的GaP /间隙
ELС-550-10
转。 04
电极
P（阳极）了
235
117
（典型值） 。尺寸（微米）
（典型值） 。厚度
270 (±20) µm
阴极
金合金， 1.5微米
阳极
金合金， 0.5微米
结构化的， 25 ％覆盖
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
反向电压
发光强度
1
发光强度
2
峰值波长
主波长
光谱带宽在50 ％
1
2
符号
V
F
V
R
I
V
I
V
λ
P
λ
D
∆λ
0.5
民
典型值
2.15
最大
2.4
单位
V
V
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
5
1.1
1.4
2.2
540
550
557
24
560
MCD
MCD
nm
nm
nm
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
测得的环氧树脂覆盖芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELС-550-10
很多车次
Ι
V
（典型值） [ MCD ]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同applications.All操作参数而变化，必须为每一个客户应用程序由客户进行验证。
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
1 1
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