LED - 芯片
初步
辐射
黄
TYPE
标准
10.04.2007
技术
的AlInGaP /砷化镓
ELС-595-15
转。 02/06
电极
P（阳极）了
325
Ø120
（典型值） 。尺寸（微米）
（典型值） 。厚度
260 (±20) µm
阴极
金合金， 1.5微米
阳极
金合金， 0.5微米
LED-03
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
反向电压
辐射功率
1
辐射功率
2
发光强度
1
发光强度
2
峰值波长
主波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
2
符号
民
典型值
最大
单位
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
I
V
I
V
λ
P
λ
D
∆λ
0.5
t
r
, t
f
592
75
5
0.5
2.0
2.3
V
V
0.7
1.2
110
185
595
592
17
20
598
mW
mW
MCD
MCD
nm
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
测得的环氧树脂覆盖芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELС-595-15
很多车次
Ι
V
（典型值） [ MCD ]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
