LED - 芯片
初步
辐射
红
TYPE
点源
10.04.2007
技术
的AlInGaP /砷化镓
ELC-645-29-20
牧师04/07
电极
N（阴极）了
（典型值） 。尺寸（微米）
310
Ø 50
+4
（典型值） 。厚度
170 (±20) µm
260
-10
+20
阴极
金合金， 1.5微米
阳极
金合金， 0.5微米
130
R
10
5
130
360
-10
+20
P S- 04
最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向工作电流（DC）的
符号
民
典型值
最大
单位
210
I
F
10
mA
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
反向电压
辐射功率*
发光强度*
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
I
F
= 5毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
符号
民
典型值
最大
单位
V
F
V
R
Φ
e
I
V
λ
P
∆λ
0.5
t
r
, t
f
5
40
1.7
635
2.0
2.5
V
V
55
2.5
645
25
40/30
660
µW
MCD
nm
nm
ns
*测裸芯片TO- 18标头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELC-645-29-20
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
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