LED - 芯片
初步
辐射
红外线
1000
ELС-810-21
10.04.2007
TYPE
DDH
技术
铝镓砷/铝镓砷
转。 08/06
电极
N(阴极)了
(典型值) 。尺寸(微米)
(典型值) 。厚度
150 (±25) µm
阴极
金合金, 1.5微米
阳极
金合金, 0.5微米
虚线,25%覆盖
PoC-05
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
正向电压
2
反向电压
辐射功率
1
辐射功率
2
峰值波长
光谱带宽在50 %
开关时间
1
2
1000
符号
民
典型值
最大
单位
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
λ
P
∆λ
0.5
t
r
, t
f
5
2.0
35
800
1.4
1.7
1.6
2.0
V
V
V
2.4
40
810
30
60
815
mW
mW
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
测量裸芯片粘在一个直径8× 1毫米铜头( 10秒接通后)与
EPIGAP
设备(仅供参考)
标签
TYPE
ELС-810-21
很多车次
Φ
e
(典型值) [毫瓦]
V
F
(典型值) [V]
QUANTITY
包装:
芯片上的胶膜,顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司, D- 12555柏林, Köpenicker Str.325 B,豪斯201
电话: + 49-30-6576 2543传真: + 49-30-6576 2545
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