LED - 芯片
25.02.2008
辐射
红外线
TYPE
点源
技术
铝镓砷/砷化镓
ELC-875-19-20
08牧师
电极
P（阳极）了
（典型值） 。尺寸（微米）
360
310
（典型值） 。厚度
300 (± 20) µm
210
阳极
金合金， 1.5微米
阴极
金合金， 0.5微米
Ø50
+7
-2
PS-11
最大额定值
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
TEST
参数
条件
正向工作电流（DC）的
最大正向电流
t
P
≤
50微秒，T
P
/T
= 1/2
符号
I
F
I
FM
民
典型值
最大
50
100
单位
mA
mA
光学和电学特性
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
TEST
参数
条件
I
F
= 20毫安
正向电压
正向电压
反向电压
辐射功率*
辐射功率*
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
I
F
= 50毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
λ
p
∆λ
0.5
t
r
, t
f
民
典型值
1.4
1.5
最大
1.8
单位
V
V
V
5
0.4
0.6
1.9
865
875
40
16
885
mW
mW
nm
nm
ns
*测裸芯片TO- 18标头
EPIGAP
设备
标签
TYPE
ELС-875-19-20
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同applications.All操作参数而变化，必须为每一个客户应用程序由客户进行验证。
EPIGAP
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