LED - 芯片
已停产
辐射
红外线
TYPE
DDH
6/21/2007
技术
铝镓砷/铝镓砷
ELC-875-21
牧师04/07
电极
N（阴极）了
1000
（典型值） 。尺寸（微米）
（典型值） 。厚度
180 µm
阳极
金合金， 1.5微米
阴极
金合金， 0.5微米
虚线，25％覆盖
PoC-05
光学和电学特性
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
TEST
参数
条件
正向电压
正向电压
反向电压
辐射功率
1
辐射功率
2
辐射功率
3
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
2
1000
符号
民
典型值
最大
单位
I
F
= 20毫安
I
F
= 300毫安
I
R
= 100 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 300毫安
I
F
= 300毫安
I
F
= 300毫安
I
F
= 300毫安
I
F
= 300毫安
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
Φ
e
λ
p
∆λ
0.5
t
r
, t
f
860
5
2.0
1.3
1.66
1.8
2.1
V
V
V
3.0
49
95
875
45
25
890
mW
mW
mW
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
测裸芯片TO- 18头和散热器， 10S电流
3
测得的环氧树脂芯片TO- 18头和散热器， 10S电流（仅供参考）
标签
TYPE
ELС-875-21
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
注：进行了所有测量
EPIGAP
设备
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
