LED - 芯片
初步
辐射
红外线
TYPE
DDH
6/21/2007
技术
铝镓砷/铝镓砷
ELС-910-12
转。 02/07
电极
P（阳极）了
650
Ø110
（典型值） 。尺寸（微米）
（典型值） 。厚度
150 (±25) µm
480
阴极
金合金， 0.5微米
阳极
金合金， 1.5微米
LED-07
光学和电学特性
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
TEST
参数
条件
正向电压
正向电压
2
反向电压
辐射功率
1
辐射功率
2
辐射强度
1
辐射强度
2
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
2
测裸芯片TO- 18头
测量裸芯片粘在一个直径8× 1毫米铜头（ 10秒接通后） （仅供参考）
25
符号
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
Ι
e
Ι
e
λ
P
∆λ
0.5
t
r
, t
f
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
民
典型值
1.20
1.45
最大
单位
V
V
V
5
2.5
20
0.75
12
900
910
60
40
920
mW
mW
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
nm
nm
ns
标签
TYPE
ELС-910-12
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
*注意：所有的测量进行了
EPIGAP
设备
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
