LED - 芯片
初步
辐射
红外线
1000
ELС-940-11
10.04.2007
TYPE
DH
技术
铝镓砷/砷化镓
转。 03/06
电极
P（阳极）了
（典型值） 。尺寸（微米）
（典型值） 。厚度
260 (±20) µm
阴极
金合金， 0.5微米
阳极
金合金， 1.5微米
PoC-05
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
TEST
参数
条件
正向电压
正向电压
2
反向电压
辐射功率
1
辐射功率
2
峰值波长
光谱带宽在50 ％
开关时间
1
2
1000
符号
民
典型值
最大
单位
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
R
= 10 µA
I
F
= 20毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
F
V
F
V
R
Φ
e
Φ
e
λ
P
∆λ
0.5
t
r
, t
f
5
0.8
17
930
1.2
1.6
1.3
1.8
V
V
V
1.5
22
940
45
600
950
mW
mW
nm
nm
ns
测裸芯片TO- 18头
EPIGAP
设备
测量裸芯片粘在一个直径8× 1毫米铜头（ 10秒接通后）与
EPIGAP
设备（仅供参考）
标签
TYPE
ELС-940-11
很多车次
Φ
e
（典型值） [毫瓦]
V
F
（典型值） [V]
QUANTITY
包装：
芯片上的胶膜，顶部引线键合端
EPIGAP
Optoelektronik有限公司， D- 12555柏林， Köpenicker Str.325 B，豪斯201
电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
1 1
EPIGAP [ EPIGAP OPTOELECTRONIC GMBH ]
