光电二极管
初步
波长
红外线
TYPE
平面
6/21/2007
技术
砷化铟镓/磷化铟
EPD-1300-0-3.0
牧师04/07
例
TO-39
描述
砷化铟镓光电二极管安装在TO- 39
标准套餐。高光谱
在红外范围内灵敏度（NIR ，
SWIR）由于大的有效面积。
3,25
0,45
± 0,1
芯片位置
9,
± 0,1
± 0,1
90
±
0,
1
Ø7,62
Ø9,14
5,90
8,13
应用
光通信，
安全设备，光栅
阳极
0,
13,5
± 1,0
2,00
± 0,05
80
±
芯片位置
ELC-70
0
0,
5
45,
00°
杂项参数
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
参数
活动区域
温度COEF网络cient
工作温度范围
存储温度范围
TEST
сonditions
符号
A
T
C
(I
D
)
T
AMB
T
英镑
价值
7.0
7.4
-40至+85
-40至+100
单位
mm²
%/K
°
C
°
C
光学和电学特性
T
AMB
= 25° ，除非另有说明
C,
参数
正向电压
击穿电压
2)
感光度范围为10 ％
光谱带宽在50 ％
响应在1300nm
1)
暗电流
分流电阻
噪声等效功率
比探测
结电容
光电流在1300nm处
2)
1)
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 µA
V
R
= 0 V
V
R
= 0 V
V
R
= 0 V
V
R
= 5 V
V
R
= 10 mV的
λ
= 1300纳米
λ
= 1300纳米
V
R
= 0 V
V
R
= 0 V
E
e
= 1毫瓦/平方厘米
符号
V
F
V
R
λ
∆λ
0,5
S
λ
I
D
R
SH
NEP
D*
C
J
I
Ph
民
典型值
0.6
最大
单位
V
V
5
800
680
0.9
5
15
30
5.2x10
-14
5.1x10
12
1000
15
1300
30
1750
nm
nm
/ W
nA
M
W / Hz的
cm
⋅
Hz
⋅
W
−
1
pF
µA
对裸芯片测量
仅供参考
注：进行了所有测量
EPIGAP
设备
EPIGAP
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电话： + 49-30-6576 2543传真： + 49-30-6576 2545
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