Crystal oscillator
小型SOJ高周波水晶発振器
SG-636
シリーズ
●C-MOS IC�½�用による�½�消費電力
●小型SMDパッケージにより、高密度実装
が可�½
●耐熱型シリンダAT水晶振動子内蔵で一般
SMD ICと同等のハンダ付け方法が可�½
●アウトプットイネーブル機�½、スタンバイ
機�½付き
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
最大供給電圧
動 �½� 電 圧
保 存 温 度
動 �½� 温 度
記 号
f
O
仕 様
SG-636PTF
SG-636PTJ
SG-636PH SG-636SCE/PCE
2.21675MHz
41.0001MHz∼70.0000MHz
∼41.0000MHz
条 件
2.21675MHz
∼41.0000MHz
ハンダ付け条件
周波数安定度
消 費 電 流
ディセーブル時電流
デ
ュ ー
テ
ィ
V
DD
-GND ー0.5V∼＋7.0V ー0.3V∼＋7.0V
ー0.5V∼＋7.0V
V
DD
5.0V±0.5V
3.3V±0.3V
T
STG
ー55℃∼＋100℃
T
OPR
ー20℃∼＋70℃
。
260 C以下×10秒以内×２回
T
SOL
f / f
O
l
op
l
OE
t
W
/ t
V
OH
V
OL
N
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
C
：±100ppm
35mA max.
28mA max.
20mA max.
ー
45％∼55％
2.4V min.
40％∼60％
ー
V
DD
−0.4V min.
17mA max.
10mA max.
40％∼60％
9mA max.
5mA max.
45％∼55％
無負荷
OE＝GND ST＝GND,2μA max.(SCE)
C-MOS負荷：１/２V
DD
レベル
TTL負荷： 1.4Vレベル
I
OH
＝−８mA
（PTF）
/−400μA
（PTJ）
/−４mA
（PH/SCE/PCE）
I
OL
＝16mA
（PTF） （PTJ） （PH/SCE/PCE）
/８mA
/４mA
C
L
≦15PF
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力負荷条件
（T T L ）
出力負荷条件 -MOS）
（C
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
耐 衝 撃 性
V
DD
−0.4V min.
10TTL max.
50pF max.
2.0V min.
0.4V max.
ー
５TTL max. ５LSTTL max.
20pF max.（≦55MHz）
15pF max.
30pF max.
15pF max.（＞55MHz）
3.5V min.
2.0V min.
0.8V
DD
min.
0.8V max.
0.2V
DD
max.
５ns max.
ー
５ns max.
ー
4ms max.
0.8V max.
1.5V max.
７ns max.
ー
５ns max.
７ns max.
ー
５ns max.
4ms max.
OE端子, ST端子
（SCE）
C-MOS負荷：20％→80％V
DD
レベル
TTL負荷：0.4V→2.4Vレベル
C-MOS負荷：80％→20％V
DD
レベル
TTL負荷：2.4V→0.4Vレベル
最�½�動�½�電圧時tを０とする
Ta＝25℃， 初年度
硬木上75cm×
３回または3000G
×0.3ms.×
１/２Sine Wave×
３方向
10ms max.
±５ppm / 年 max.
±20ppm max.
モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合があります。
■外�½�寸法図
端子番号
（単�½�：mm）
■推奨ハンダ付けパターン図
信 号 名
（単�½�：mm）
10.5max.
＃4
＃3
SG-636SCE SG-636P＊
＊
GND
OUT
V
DD
GND
OUT
V
DD
２
３
４
5.0
E
18.4320C
PTF9352A
＃1
＃2
5.8max.
2.7
max.
0.5
5.08
（1.0）
3.6
（1.0）
1.3
3.8
1.3
33
0.05
min.
2.1
2.5
2.1
１
ST
OE
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
