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    SG-645SCG 参数 Datasheet PDF下载

    SG-645SCG图片预览
    型号： SG-645SCG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [SG-645PCG]
    分类和应用： PC
    文件页数/大小： 2 页 / 259 K
    品牌： EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
     浏览型号SG-645SCG的Datasheet PDF文件第1页  
    Crystal oscillator
    ■仕 様（特性）
    項     目
    出力周波数範囲
    電源電圧
    温度範囲
    最大供給電圧
    動 �½� 電 圧
    記 号
    f
    O
    V
    DD
    -GND
    V
    DD
    T
    STG
    T
    OPR
    SG-645 PTW/STW
    仕        様
    SG-645 PHW/SHW
    32.0001 MHz∼135.0000
    MHz
    -0.5 V∼+7.0 V
    SG-645 PCW/SCW
    条      件
    P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
    く
    3.0 V∼3.6 V
    -40
    ˚C∼+85 ˚C
    Ｍ：±100
    ×
    10
    28 mA Max.
    16 mA Max.
    -6
    保 存 温 度
    動 �½� 温 度
    4.5 V∼5.5 V
    -55
    ˚C∼+125 ˚C
    -20
    ˚C∼+70 ˚C
    Ｂ：±50
    ×
    10
    -6 
    Ｃ：±100
    ×
    10
    -6
    –
    45 mA Max.
    30 mA Max.
    ー
    50
    µA
    Max.
    40 %∼60 %
    45 %∼55 %
    ー
    V
    DD
    -
    0.4 V
    0.4 V
    15 pF
    5 TTL+15 pF
    25 pF
    ー
    ー
    ー
    15 pF
    25 pF
    50 pF
    ー
    2.0 V Max.
    0.8 V Max.
    4.0 ns
    3.0 ns
    ー
    ー
    4.0 ns
    3.0 ns
    ー
    ー
    10 ms Max.
    ±5
    ×
    10
    -6
    /
    年
    Max.
    ±20
    ×
    10
    -6
    Max.
    ー
    P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
    く
    -20
    ˚C∼+70 ˚C
    -40
    ˚C∼+85 ˚C
    無負荷 (f
    0
    =135 MHz)
    OE=GND(P＊W), f
    0
    =135 MHz
    ST=GND(S＊W)
    50 % V
    DD
    , C
    L
    =Max.
    50 % V
    DD
    , C
    L
    =25 pF (f
    0
    ≦66.6667 MHz)
    1.4 V, C
    L
    =Max.
    1.4 V, 5TTL+15 pF (f
    0
    ≦66.6667 MHz)
    50 % V
    DD
    , C
    L
    =15 pF
    l
    OH
    =-16 mA (＊TW /
    ＊HW)
    l
    OH
    =-8 mA (＊CW)
    l
    OH
    =16 mA (＊TW /
    ＊HW)
    l
    OH
    =8 mA (＊CW)
    (f
    0
    ≦135 MHz)
    (f
    0
    ≦90 MHz)
    (f
    0
    ≦66.6667 MHz)
    (f
    0
    ≦135 MHz)
    (f
    0
    ≦90 MHz)
    (f
    0
    ≦50 MHz)
    (f
    0
    ≦135 MHz)
    OE or ST
    20 %→80 % V
    DD
     C
    L
    =Max.
    20 %→80 % V
    DD
     C
    L
    ≦25
    pF
    0.8 V→2.0 V C
    L
    =Max.
    0.4 V→2.4 V C
    L
    =Max.
    80 %→20 % V
    DD
     C
    L
    =Max.
    80 %→20 % V
    DD
     C
    L
    ≦25
    pF
    2.0 V→0.8 V C
    L
    =Max.
    2.4 V→0.4 V C
    L
    =Max.
    単品での保存
    周波数安定度
    ディセーブル時電流
    スタンバイ時電流
    消 費 電 流
     f / f
    O
    l
    OP
    l
    OE
    l
    ST
    ー
    ー
    40 %∼60 %
    V
    DD
    -
    0.4 V
    0.4 V
    ー
    ー
    ー
    ー
    ー
    ー
    15 pF
    70 % V
    DD
    20 % V
    DD
    3.0 ns
    ー
    ー
    ー
    3.0 ns
    ー
    ー
    ー
    デ ュ ー テ ィ
    t
    W
    / t
    40 %∼60 %
    45 %∼55 %
    ー
    “H”レベル出力電圧
    “L”レベル出力電圧
    V
    OH
    V
    OL
    出力負荷条件（ CMOS）
    C
    L
    “H”レベル入力電圧
    “L”レベル入力電圧
    出力上昇時間
    出力下降時間
    発振開始時間
    経 時 変 化
    耐 衝 撃 性
    V
    IH
    V
    IL
    t
    TLH
    t
    THL
    t
    OSC
    f
    a
    S.R.
    ー
    ー
    ー
    ー
    ー
    ー
    2.0 ns
    4.0 ns
    ー
    ー
    2.0 ns
    4.0 ns
    Ta=+25 ℃,
    V
    DD
    =5.0 V / 3.3 V, 初年度
    硬木上750
    mm
    ×
    3回または
    29400 m/s
    2
    ×
    0.3 ms
    ×
    1/2 Sine Wave
    ×
    3方向
    40

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