晶体振荡器
晶体振荡器
高稳定
HG - 2150CA
系列
¡频率
范围
●供应
电压
¡频率
公差
“功能
•厚度
:
:
:
:
:
1 MHz到80 MHz
3.3 V或5.0 V
±15×10
-6
/ -20 ° C至+ 70°C
输出使能（ OE ）
1.5毫米最大。
实际尺寸
特定网络阳离子
（特性）
项
输出频率范围
电源电压
温度
储存温度
范围
工作温度
频率容差
消耗电流
禁止输出电流
对称
高输出电压
低输出电压
输出负载条件
输出使能输入电压
输出禁用输入电压
输出上升时间和下降时间
振荡启动时间
频率老化
符号
特定网络阳离子
SVH
/
BXH
SVC
/
BXC
1.000 MHz到80.000 MHz的
H： 5.0 V
±0.5
V
C： 3.3 V
±0.3
V
-40
°C
+125
°C
V:-20
°C
+70
°C
X:-40
°C
+85
°C
S:
±15 ×
10
-6
*1
B:
±25 ×
10
-6
*1
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 25 。
mA（最大值） 15 。
mA（最大值） 12 。
45 ％至55％的
V
CC
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
15 pF的最大值。
70 % V
CC
分钟。
30 % V
CC
马克斯。
4 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
±10 ×
10
-6
马克斯。
*2
备注
60兆赫<
f
0
≤
80兆赫
请联系我们查询
拆包后的保存裸产品
-20
°C
+70
°C
-40
°C
+85
°C
无负载条件下， OE = V
CC
OE = GND
50 % V
CC
水平
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
CMOS负载
OE端
OE端
20 % V
CC
到80 ％的V
CC
水平
在电源电压最低的时间是0秒。
+25
°C,
10年
f
0
V
CC
T_stg
T_use
F_tol （振荡器）
I
CC
I_dis
符号
V
OH
V
OL
L_CMOS
V
IH
V
IL
t
r
/
t
f
f_aging
t
OSC
*1
频率稳定度的变化，包括在回流焊接漂移，工作温度范围，电源电压范围和负载变化。
*2
50兆赫< ˚F
0
≤
80兆赫：
±
15
×
10
-6
马克斯。
外形尺寸
（单位：毫米）
脚印
（推荐）
（单位：毫米）
#4
#3
#3
#4
5.0
±0.2
E 35.328
2.6
1.1
1.4
1.8
SVC181
#1
7.0
±0.2
#2
#2
5.08
#1
1.5最大。
5.08
注。
OE引脚
OE引脚= "H"或"open" ：指定的频率输出。
OE引脚= "L" ：输出为高阻态。
引脚图
针
连接
1
OE
2
GND
3
OUT
4
V
CC
4.2
5.08
48
http://www.epsontoyocom.co.jp
2.0
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
