晶体振荡器
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产品号码（请联系我们）
晶体振荡器
薄型/高稳定SPXO
SG - 150秒* E
¡频率
范围
:
●供应
电压
:
- 电流
消费
:
“功能
•厚度
:
:
3.000 MHz到54.000 MHz的
1.8 V典型值。或2.5 V典型值。或3.3 V典型值。
3.3毫安最大。
（见1.8 V无负载条件下的40 MHz ）
待机（
ST
)
0.75毫米典型。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
存储
温度温度
范围
操作
温度
频率容差
*
符号
SG-150SEE
特定网络阳离子
SG-150SDE
3.000 MHz到54.000 MHz的
1.8 V （典型值） 。
1.6 V至2.2 V
SG-150SCE
备注
请联系我们以便查询
可用的频率。
f
0
V
CC
T_stg
T_use
f_tol
2.3毫安最大。
2.8毫安最大。
3.3毫安最大。
4.5毫安最大。
2.5 V （典型值） 。
2.2 V至2.7 V
3.3 V （典型值） 。
2.7 V至3.6 V
-40
°C
到+ 85℃
-40
°C
到+ 85℃
D:
±20
× 10 , E:
±15
× 10
H:
±20
× 10
-6
, T:
±15
× 10
-6
mA（最大值） 2.5 。
3.0毫安最大。
3.5毫安最大。
5.0毫安最大。
5.0 μA（最大值） 。
45 ％至55％的
90 % V
CC
分钟。
10 % V
CC
马克斯。
15 pF的最大值。
80 % V
CC
分钟。
20 % V
CC
马克斯。
4.5 ns（最大值） 。
5 ms以下。
这包括在频率容限规范。
-6
-6
拆包后的保存裸产品
消耗电流
待机电流
对称
高输出电压
低输出电压
输出负载条件
（ CMOS）的
输出使能/
禁止输入电压
上升时间/下降时间
启动时间
频率老化
I
CC
I_STD
符号
V
OH
V
OL
L_CMOS
V
IH
V
IL
3.5毫安最大。
4.0毫安最大。
4.5毫安最大。
6.0毫安最大。
-20
°C
+70
°C
V
CC
±10%
-40
°C
+85
°C
无负载条件下， 3 MHz≤f
0
≤32
兆赫
无负载条件下， 32 MHz<
f
0
≤40
兆赫
无负载条件下， 40 MHz<
f
0
≤48
兆赫
无负载条件下， 48 MHz<
f
0
≤54
兆赫
ST
= GND
50 % V
CC
水平， L_CMOS
≤
15 pF的
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
ST
终奌站
t
r
/
t
f
t
_
STR
f_aging
20 % V
CC
到80 ％的V
CC
的水平，
L_CMOS = 15 pF的
t = 0时，在90 ％的V
CC
+25 ° C，第一年，
V
CC
= 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
（单位：毫米）
*
请与我们联系，了解有关可用的频率容限调查。
外形尺寸
（单位：毫米）
足迹（推荐）
2.1±0.1
#4
#3
1.7±0.1
#3
#4
C
（例如： 0.01 μF ）
抵制
C0.15
0.54 0.48
26ABCD
●
6789A
#1
#2
#4
0.6
#3
0.75±0.05
注。
ST
针=高或"open" ：指定的频率输出。
ST
引脚= LOW ：输出为高阻抗，振荡停止。
引脚图
针
1
2
3
4
连接
ST
GND
OUT
V
CC
1.13
#1
#2
1.65
http://www.epsontoyocom.co.jp
0.75
#2
1.06
0.45
#1
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
