晶体振荡器
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产品号码（请联系我们）
Q33210Bx0xxxx00
晶体振荡器
SPXO
SG - 210
系列
¡频率
范围
:
●供应
电压
:
- 电流
消费
:
2兆赫到60兆赫
1.5 V典型值。 / 1.8 V典型值。 / 2.5 V典型值。 / 3.3 V典型值。
0.9毫安典型。
（ SEB 1.8 V无负载条件48兆赫）
“功能
:
待机（
ST
)
实际尺寸
•厚度
:
0.8毫米典型。
•操作
温度
:
+105
°C
/ +125 °C
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
存储
温度温度
范围
操作
温度
符号
SG-210SGB
2 MHz至
32兆赫
1.5 V （典型值） 。
1.3 V至1.7 V
特定网络阳离子
SG- 210SEB SG- 210SDB
2兆赫到60兆赫
1.8 V （典型值） 。
1.6 V至2.2 V
SG-210SCB
3.3 V （典型值） 。
2.7 V至3.6 V
备注
f
0
V
CC
T_stg
T_use
2.5 V （典型值） 。
2.2 V至3.0 V
-40
°C
至+125°C
-40
°C
至+85°C / -40
°C
至+105°C / -40
°C
至+125°C
拆包后的保存裸产品
频率容差
f_tol
–
–
mA（最大值） 1.0 。
–
0.3 μA（最大值） 。
–
45 ％至55％的
40％至60％的
–
–
消耗电流
待机电流
对称
高输出电压
低输出电压
输出负载条件
（ CMOS）的
输出使能/
禁止输入电压
上升时间和下降时间
启动时间
频率老化
I
CC
I_STD
符号
V
OH
V
OL
L_CMOS
V
IH
V
IL
-10
°C
+60
°C,
f
0
≤
32兆赫，
V
CC
±10%,
除了回流漂移。
B:
±50 ×
10
-6
, C:
±100 ×
10
-
6
-20
°C
+70
°C
-6
-6
L： ± 50 × 10 ， M： ± 100 × 10
-40
°C
+85
°C
-6
-6
Y： ± 50 × 10 ， W： ± 100 × 10
-40
°C
到105
°C
Z:±100 × 10
-6
,X:±150 × 10
-6
-40
°C
+125
°C
1.6毫安最大。 2.4毫安最大。 3.0毫安最大。空载条件
2.0毫安最大值3.0 mA最大。 4.0毫安最大。无负载条件下105
°C,+125 °C
0.5 μA（最大值） 。 1.0 μA（最大值） 。 1.0 μA（最大值） 。
ST
= GND
1.6 μA（最大值） 。 2.4 μA（最大值） 。 3.0 μA（最大值） 。
ST
= GND 105
°C,+125 °C
2 MHz≤
f
0
≤16
兆赫
45 ％至55％的45 ％至55％
45 ％至55％ 16 MHz<
f
0
≤32
兆赫
50 % V
CC
水平
L_CMOS
≤
15 pF的
40％至60％的40 ％至60％
32 MHz<
f
0
≤60
兆赫
40％至60％的
+105
°C,+125 °C
90 % V
CC
分钟。
I
OH
= -1毫安
10 % V
CC
马克斯。
I
OL
= 1毫安
F:
±20
× 10
-6
15 pF的最大值。
80 % V
CC
分钟。
20 % V
CC
马克斯。
4 ns（最大值） 。
3 ns（最大值） 。
7 ns（最大值）
3 ms以下。
±3 ×
10
-6
/年最大。
（单位：毫米）
ST
终奌站
+85
°C
20 % V
CC
到80 ％的V
CC
水平， L_CMOS = 15 pF的
+105
°C,+125 °C
t = 0时，在90 ％的V
CC
（ + 105 ° C， 125° C： 5 ms最大）
t
r
/
t
f
t_str
f_aging
5 ns（最大值） 。
–
+25 ° C，第一年，
V
CC
=1.5V,1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
外形尺寸
2.5
±
0.15
#4
#3
#3
足迹（推荐）
C
（例如： 0.01 μF ）
抵制
（单位：毫米）
#4
0.7 0.6
27.00B
B631A
#1
#2
2.0±0.15
#4
1.1
#3
0.8±0.1
引脚图
针
1
2
3
4
连接
ST
GND
OUT
V
CC
1.3
#1
#2
注。
ST
针=高或"open" ：指定的频率输出。
ST
引脚= LOW ：输出为高阻抗，振荡停止。
1.7
http://www.epsontoyocom.co.jp
0.9
#2
0.9
0.8
#1
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
