晶体振荡器
小型SOJ高周波水晶発振器
SG-636
シリーズ
●C-MOS IC�½�用による�½�消費電力
●小型SMDパッケージにより，高密度実装
が可�½
●耐热型シリンダAT水晶振动子内蔵で一般
SMD ICと同等のハンダ付け方法が可�½
●アウトプットイネーブル機�½、スタンバイ
機�½付き
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
最大供給電圧
動 �½� 電 圧
保 存 温 度
動 �½� 温 度
記 号
f
O
仕 様
SG-636PTF
SG-636PTJ
SG- 636PH SG - 636SCE / PCE
2.21675MHz
41.0001MHz∼70.0000MHz
∼41.0000MHz
条 件
2.21675MHz
∼41.0000MHz
ハンダ付け条件
周波数安定度
消 費 電 流
ディセーブル時電流
デ
ュ ー
テ
ィ
V
DD
-GNDー0.5V~ + 7.0Vー0.3V~ + 7.0V
ー0.5V∼＋7.0V
V
DD
5.0V±0.5V
3.3V±0.3V
T
英镑
ー55℃∼＋100℃
T
OPR
ー20℃∼＋70℃
。
260 C以下×10秒以内×２回
T
SOL
f / f
O
l
op
l
OE
t
W
/ t
V
OH
V
OL
N
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
C
：±100ppm
最大35mA 。
28毫安MAX 。
20mA的最大。
ー
45％∼55％
2.4V最小。
40％∼60％
ー
V
DD
-0.4V分钟。
17毫安最大。
最大10mA 。
40％∼60％
9毫安最大。
5毫安MAX 。
45％∼55％
無負荷
OE = GND ST = GND ， 2μA以下（ SCE ）
C- MOS负荷： 1 / 2V
DD
レベル
TTL负荷： 1.4Vレベル
I
OH
= -8mA
（PTF）
/−400μA
（ PTJ ）
/ -4mA
（ PH / SCE / PCE ）
I
OL
＝16mA
（ PTF ） （ PTJ ） （ PH / SCE / PCE ）
/ 8毫安
/ 8毫安
C
L
≦15PF
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力負荷条件
（T T L ）
出力负荷条件-MOS ）
（C
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
耐 衝 撃 性
V
DD
-0.4V分钟。
10TTL MAX 。
50pF的MAX 。
2.0V最小。
0.4V MAX 。
ー
5TTL最大。 5LSTTL最大。
20pF的最大（ ≦ 55MHz的）
15pF的MAX 。
30pF的最大值。
15pF的最大（ \u003e 55MHz的）
3.5V最小。
2.0V最小。
0.8V
DD
分钟。
0.8V最大。
0.2V
DD
马克斯。
为5ns最大。
ー
为5ns最大。
ー
4ms的最大值。
0.8V最大。
1.5V MAX 。
7ns的MAX 。
ー
为5ns最大。
7ns的MAX 。
ー
为5ns最大。
4ms的最大值。
OE端子， ST端子
（ SCE）的
C-MOS負荷：20％→80％V
DD
レベル
TTL負荷：0.4V→2.4Vレベル
C-MOS負荷：80％→20％V
DD
レベル
TTL負荷：2.4V→0.4Vレベル
最�½�動�½�電圧時tを０とする
Ta＝25℃， 初年度
硬木上75cm×
３回または3000G
×0.3ms.×
1 / 2Sine波×
３方向
10ms以下。
时±5ppm /年最大。
± 20ppm的MAX 。
モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合があります。
■外�½�寸法図
端子番号
（単�½�：mm）
■推奨ハンダ付けパターン図
信 号 名
（単�½�：mm）
10.5max.
＃4
＃3
SG- 636SCE SG- 636P *
＊
GND
OUT
V
DD
GND
OUT
V
DD
２
３
４
5.0
E
18.4320C
PTF9352A
＃1
＃2
5.8max.
2.7
马克斯。
0.5
5.08
（1.0）
3.6
（1.0）
1.3
3.8
1.3
33
0.05
分钟。
2.1
2.5
2.1
１
ST
OE
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
